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FDS4435BZ中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDS4435BZ
厂商型号

FDS4435BZ

功能描述

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -30V, -8.8A, 20m廓

文件大小

288.78 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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FDS4435BZ规格书详情

General Description

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.

This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

特性 Features

■ Max rDS(on) = 20mΩ at VGS = -10V, ID = -8.8A

■ Max rDS(on) = 35mΩ at VGS = -4.5V, ID = -6.7A

■ Extended VGSS range (-25V) for battery applications

■ HBM ESD protection level of ±3.8KV typical (note 3)

■ High performance trench technology for extremely low rDS(on)

■ High power and current handling capability

■ Termination is Lead-free and RoHS compliant

产品属性

  • 型号:

    FDS4435BZ

  • 功能描述:

    MOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
SOP8
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