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FDP120AN15A0	文件：353.95 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID =14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.12Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：353.95 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDP120AN15A0	文件：251.05 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：251.05 Kbytes 页数：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDP120AN15A0	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDD120AN15A0	文件：685.91 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 150V, ID= 20 A RDS(ON) 文件：685.91 Kbytes 页数：4 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
FDD120AN15A0	文件：1.00472 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 文件：1.00472 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
FDD120AN15A0	文件：251.05 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：251.05 Kbytes 页数：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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