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FDP070AN06A0中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V、80 A、7 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP070AN06A0

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V、80 A、7 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 17:54:00

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FDP070AN06A0规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET60 V, 80 A, 7 mΩ

特性 Features

•RDS(on) = 6.1 mΩ(典型值) @ VGS = 10 V, ID = 80 A
•Qg(tot) = 51 nC (Typ.) @ VGS = 10 V
•低米勒电荷
•低 Qrr体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)

应用 Application

• AC-DC商用电源
• DC-DC商用电源
• 消费型设备
• 台式计算机
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP070AN06A0

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :175

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :51

  • Ciss Typ (pF)

    :3000

  • Package Type

    :TO-220-3

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