N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，60 V，2.6 A，116 mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该过程已经过优化，可提供优异的 rDS(on)、开关性能和耐用性。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大 rDS(on) = 116 mΩ（VGS = 10 V、ID = 2.6 A）\n• 最大 rDS(on) = 170 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 2.1 A）\n• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装\n•快速开关速度\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

CUSTOMER PRODUCT SPECIFICATION

文件：77.77 Kbytes 页数：2 Pages

ALPHAWIRE

HIGH-FLEX MINI DIAMETER DATA CABLE

文件：119.2 Kbytes 页数：1 Pages

ALPHAWIRE

TO220

FAIRCHILD

仙童半导体

上传：深圳市赛尔通科技有限公司

TO-220

FAIRCHILD

仙童半导体

上传：深圳市创博伟业科技有限公司