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FDMS86152

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,45A,6mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •最大值 rDS(on) = 6 mΩ(VGS = 10 V, ID = 14 A 时)\n•最大值 rDS(on) = 11 mΩ(VGS = 6 V, ID = 11.5 A 时)\n•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率\n•MSL1耐用封装设计\n• 100%经过UIL测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDMS86152

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:258.35 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDMS86200

Power 56

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

FDMS86252L

Power-56-8

ON

FDMS9600S

QFN8

ON

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    100

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    45

  • PD Max (W):

    125

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    6

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    23

  • Ciss Typ (pF):

    2530

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDMS86152供应商 更新时间2025-12-11 20:39:00