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FDMS1D5N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® SyncFETTM，30V，218A，1.15mΩ; •最大 rDS(on) = 1.15 mΩ（VGS = 10 V、ID = 40 A）\n•最大 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 37 A）\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 RDS(on) 和高效率\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合 RoHS 标准\n; 该 N 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已针对低栅极电荷和极低 rDS(on) 进行了优化。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FDMS1D5N03

文件：300 bytes

Page：1 Pages

N 沟道，PowerTrench® SyncFETTM，30V，218A，1.15mΩ; •最大 rDS(on) = 1.15 mΩ（VGS = 10 V、ID = 40 A）\n•最大 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 37 A）\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 RDS(on) 和高效率\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合 RoHS 标准\n;

该 N 沟道 MOSFET 使用同步或传统的开关PWM控制器，专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已针对低栅极电荷和极低 rDS(on) 进行了优化。

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FDMS1D5N03

文件：584.03 Kbytes

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N-Channel PowerTrench MOSFET

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ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
16
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
218
PD Max (W)：
83
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
1.3
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.15
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
45
Ciss Typ (pF)：
6920
Package Type：
PQFN-8

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