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FDMS001N025DSD	文件：300 bytes Page：1 Pages	25 V，不对称双 N 沟道，PowerTrench® Power Clip MOSFET ThisdeviceincludestwospecializedN−ChannelMOSFETsina dual package. The switch node has been internally connected to enable easyplacementandroutingofsynchronousbuckconverters.The controlMOSFET(Q1)andsynchronousSyncFET(Q2)havebeen designed to provide optimal power efficiency. • Q1: N−Channel MAX rDS(on) = 3.25 mΩ at VGS = 10 V, ID = 19 A MAX rDS(on) = 4 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A\n• Q2: N−Channel Max rDS(on) = 0.92 mΩ at VGS = 10 V, ID = 38 A MAX rDS(on) = 1.20 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 34 A\n• Low Inductance Packaging Shortens Rise/Fall Times, Resulting in Lower Switchi;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS001N025DSD	文件：451.77 Kbytes Page：13 Pages	丝印：FDMS001N025DSD；Package：PowerClip56；PowerTrench Power Clip 25 V Asymmetric Dual N?묬hannel MOSFET 文件：451.77 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS2572	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDMS2672	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-56	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市创博伟业科技有限公司	FAIRCHILD
FDMS3669S	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-8	ON 上传：深圳市科芯源微电子有限公司	ON

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
25
VGS Max (V)：
16
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
Q1 = 69 ; Q2 = 165
PD Max (W)：
Q1 = 26 ; Q2 = 42
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1 = 4 ; Q2 = 1.2
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1 = 3.25 ; Q2 = 0.92
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
Q1 = 9.7 ; Q2 = 35
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
Q1 = 21 ; Q2 = 75
Ciss Typ (pF)：
Q1 = 1370 ; Q2 = 5105
Package Type：
PQFN-8

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深圳市高捷芯城科技有限公司	FDMS001N025DSD	onsemi(安森美)	25+	PQFN-8-EP(5x6)	22412	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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更多FDMS001N025DSD供应商更新时间2026-1-28 13:39:00

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