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HI-8010PQT	文件：110.19 Kbytes Page：9 Pages	CMOSHIGHVOLTAGEDISPLAYDRIVER	HOLTIC Holt Integrated Circuits	HOLTIC
HI-8010PQTF	文件：110.19 Kbytes Page：9 Pages	CMOSHIGHVOLTAGEDISPLAYDRIVER	HOLTIC Holt Integrated Circuits	HOLTIC
ICM8010	文件：115.95 Kbytes Page：5 Pages	1.2V,750KSPS,10BITSARADC	ICMICIC MICROSYSTEMS 集成电路微系统公司	ICMIC
IIRF8010	文件：338.69 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF8010	文件：494.75 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications •HighfrequencyDC-DCconverters •UPSandMotorControl Benefits •LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCosstoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltagean	IRF International Rectifier	IRF
IRF8010	文件：338.69 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF8010L	文件：223.28 Kbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent TypicalRDS(on)=12mΩ aplications HighfrequencyDC-DCconverters UPSandMotorControl	IRF International Rectifier	IRF
IRF8010L	文件：300.33 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF8010LPBF	文件：220.46 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent TypicalRDS(on)=12mΩ applications HighfrequencyDC-DCconverters UPSandMotorControl	IRF International Rectifier	IRF
IRF8010PBF	文件：130.41 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●TypicalRDS(on)=12mΩ Applications ●Highf	IRF International Rectifier	IRF

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
75
PD Max (W)：
54
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
1.8
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.3
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
32
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
32
Ciss Typ (pF)：
4405
Package Type：
PQFN-8

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