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AKW410-S	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AKW410-W	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AKW410-Y	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
ALAN-410	文件：412.52 Kbytes Page：4 Pages	LANCOUPLINGTRANSFORMERS	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
AMA410N	文件：358.15 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AMR410N	文件：344.27 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AND410HB	文件：56.24 Kbytes Page：2 Pages	UltraBrightLEDLamps	PURDYPurdy Electronics Corporation 审慎电子	PURDY
AOB410L	文件：319.38 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT410L/AOB410LisfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge&lowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgen	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB410L	文件：282.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-263(D2PAK)packaging •Highspeedswitching •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD410	文件：1.01516 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD410	文件：116.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AOD410	文件：244.41 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD410usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.AOD410L(GreenProduct)isofferedinalead-freepackage. Features VDS(V)=30V ID=8A RDS(	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD410	文件：318.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD410L	文件：116.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AOGW410-B	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOGW410-G	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOGW410-R	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOGW410-S	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
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详细参数

型号：
FDG410NZ
功能描述：
MOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FDG410NZ	FAIRCHILD/仙童	24+	SOT363	45000	热卖优势现货	询价
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深圳市永贝尔科技有限公司	FDG410NZ	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价

更多FDG410NZ供应商更新时间2024-5-17 19:03:00

详细参数

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