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FDH055N15A	文件：706.25 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 167A, 5.9m 文件：706.25 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDH055N15A	文件：349.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：349.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDH055N15A	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V，167A，5.9mΩ 此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 4.8mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 120A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷，QG = 92nC（典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FDLL4148	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON SOD-80	ON 上传：深圳市壹芯创科技有限公司	ON

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