FDD5N50中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，4 A，1.4 Ω，DPAK数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 1.15Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2A
•低栅极电荷（典型值 11nC）
•低 Crss（典型值 5pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FDD5N50属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由ONSEMI制造生产的FDD5N50晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。