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FDD26AN06_F085中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,36A,26mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDD26AN06_F085

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,36A,26mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-16 17:32:00

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FDD26AN06_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 36A, 26mΩ

特性 Features

•rDS(ON) = 20 mΩ (典型值),VGS = 10 V,ID = 36 A
•Qg(tot) = 13nC(典型值),VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 QRR体二极管
•UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合AEC Q101
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDD26AN06_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :36

  • PD Max (W)

    :75

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :26

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :13

  • Ciss Typ (pF)

    :800

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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