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FDD26AN06_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，36A，26mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 36A, 26mΩ •rDS(ON) = 20 mΩ （典型值），VGS = 10 V，ID = 36 A\n•Qg(tot) = 13nC（典型值），VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低 QRR体二极管\n•UIS能力（单脉冲和重复脉冲）\n•符合AEC Q101\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDD26AN06_F085	文件：210.67 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：210.67 Kbytes 页数：11 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FDD4141-F085	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON TO-252	ON 上传：深圳市鑫炜纳电子有限公司	ON
FDD5N60NZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD TO-252	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司上传：深圳市欧立现代科技有限公司	Fairchild

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