首页 >FDC642P>规格书列表

零件型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

FDC642P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench?줞OSFET

P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrench™MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDC642P

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20 V,-4.0 A,65mΩ; •VGS = -4.5V,ID = -4.0A时,最大rDS(on) = 65mΩ\n•VGS = -2.5V,ID = -3.2A时,最大rDS(on) = 100mΩ\n•快速开关速度。\n•低栅极电荷(典型值11nC)。\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(ON)。\n•SuperSOT™-6封装: 小尺寸(比标准SO-8封装小72%);薄型(1mm厚)\n•终端无引线且符合RoHS标准\n;

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件经过专门设计,能以极小的尺寸提供出色的功耗,适合那些不宜采用更大封装的应用。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FDC642P_09

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET -20V, -4A, 100m廓

Features ■TyprDS(on)=52.5mΩatVGS=-4.5V,ID=-4A ■TyprDS(on)=75.3mΩatVGS=-2.5V,ID=-3.2A ■Fastswitchingspeed ■Lowgatecharge(6.9nCtypical) ■HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowrDS(on) ■SuperSOTTM-6package:smallfootprint(72smallerthanstandardSO

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDC642P_F085

FDC642P P-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET

Features ■TyprDS(on)=52.5mΩatVGS=-4.5V,ID=-4A ■TyprDS(on)=75.3mΩatVGS=-2.5V,ID=-3.2A ■Fastswitchingspeed ■Lowgatecharge(6.9nCtypical) ■HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowrDS(on) ■SuperSOTTM-6package:smallfootprint(72smallerthanstandardSO

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDC642P_F085

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-20V,-4A,100mΩ; •典型 rDS(on) = 52.5 mΩ (VGS = –4.5 V、ID = –4A)\n•典型 rDS(on) = 75.3 mΩ (VGS = –2.5 V、ID = –3.2 A)\n•快速开关速度\n•低栅极电荷(6.9nC典型值)\n•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)\n•SuperSOTÞ–封装:小尺寸(比标准 SO-8 小 72%);超薄(1 mm 厚)。\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101\n;

P-Channel PowerTrench® MOSFET, -20V, -4A, 100mΩ

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FDC642P-F085

丝印:FDC642P;Package:SSOT-6;MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m

Features •TypRDS(on)=52.5matVGS=−4.5V,ID=−4A •TypRDS(on)=75.3matVGS=−2.5V,ID=−3.2A •FastSwitchingSpeed •LowGateCharge(6.9nCTypical) •HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLowRDS(on) •SUPERSOT−6Package:SmallFootprint(72Smallerthan S

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FDC642P-F085P

丝印:FDC642P;Package:SSOT-6;MOSFET ??P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -4 A, 100 m

Features •TypRDS(on)=52.5matVGS=−4.5V,ID=−4A •TypRDS(on)=75.3matVGS=−2.5V,ID=−3.2A •FastSwitchingSpeed •LowGateCharge(6.9nCTypical) •HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLowRDS(on) •SUPERSOT−6Package:SmallFootprint(72Smallerthan S

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    -1.5

  • ID Max (A):

    -4

  • PD Max (W):

    1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    100

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    65

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    13

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    11

  • Ciss Typ (pF):

    700

  • Package Type:

    TSOT-23-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/仙童
25+
SOT153
154501
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ONSEMI/安森美
25+
SOT23-6
34696
ONSEMI/安森美全新特价FDC642P即刻询购立享优惠#长期有货
询价
FAIRCHILD
16+
SSOT-6
13500
进口原装现货/价格优势!
询价
ON/安森美
2019+
TSOP-6
78550
原厂渠道 可含税出货
询价
FAIRCHILD
10+
SOT23-6
18000
全新原装公司现货
询价
ON
23+
SOT23-6
12000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
FAIRCHILD
24+
SOT23-6
18000
原厂授权代理 价格绝对优势
询价
ON/安森美
22+
SOT23-6
12000
原装正品
询价
FAIRCHILD/仙童
2019+PB
SOT-23-6
62000
原装正品 可含税交易
询价
ON/安森美
2021+
NA
9000
原装现货,随时欢迎询价
询价
更多FDC642P供应商 更新时间2025-7-29 15:40:00