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FDBL9406_F085数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

FDBL9406_F085

参数属性

FDBL9406_F085 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 40V 45A/240A 8HPSOF

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET,40 V,240 A,1.2 mΩ
MOSFET N-CH 40V 45A/240A 8HPSOF

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FDBL9406_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40 V, 240 A, 1.2 mΩ

特性 Features

• 典型 RDS(on) = 0.9 mΩ(需 VGS = 10 V、ID = 80 A)
• 典型 Qg(tot) = 90 nC(需 VGS = 10 V、ID = 80 A)
• UIS 能力
• 符合RoHS标准
• 符合 AEC Q101 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FDBL9406_F085属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDBL9406_F085晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FDBL9406_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :240

  • PD Max (W)

    :300

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :90

  • Ciss Typ (pF)

    :7735

  • Package Type

    :TO-LL 8L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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