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FDBL9401-F085T6数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

FDBL9401-F085T6

参数属性

FDBL9401-F085T6 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF

功能描述

Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 0.67 mΩ, 240 A
MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FDBL9401-F085T6规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET in a TOLL package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

特性 Features

• Low RDS(on)
• Minimize Conduction Losses
• Low QG and Capacitance
• Minimize Driver Losses
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
• Small Footprint (TOLL) for Compact Design

应用 Application

• Reverse Battery protection
• Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridge etc.)
• Switching power supplies
• Solenoid Driver - ABS, Fuel injection
• Motor Control - EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
• Load Switch - ECU, Chassis, Body

简介

FDBL9401-F085T6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDBL9401-F085T6晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FDBL9401-F085T6

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :240

  • PD Max (W)

    :180.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :0.67

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :148

  • Ciss Typ (pF)

    :10000

  • Package Type

    :TO-LL 8L

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