FDBL86066-F085中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET，100 V，240 A，4.1 mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

FDBL86066-F085

特性 Features

• Typical RDS(on) = 3.3 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A
• Typical Qg(tot) = 47 nC at VGS = 10V, ID = 80 A
•UIS Capability
•Qualified to AEC Q101
•RoHS Compliant

应用 Application

• Automotive Engine Control
• PowerTrain Management
• Solenoid and Motor Drivers
• Electronic Steering
• Integrated Starter/Alternator
• Distributed Power Architectures and VRM
• Primary Switch for 12V Systems

简介

FDBL86066-F085属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDBL86066-F085晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。