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FDBL0240N100中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET,100V,210A,2.8mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDBL0240N100

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET,100V,210A,2.8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-18 17:44:00

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FDBL0240N100规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 210A, 2.8mΩ

特性 Features

• Typical RDS(on) = 2.8 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A
• Typical Qg(tot) = 111 nC at VGS = 10V, ID = 80 A
• UIS Capability
• RoHS Compliant

应用 Application

• Industrial Motor Drive
• Industrial Power Supply
• Industrial Automation
• Battery Operated Tools
• Battery Protection
• Solar Inverters
• Energy Inverters
• Universal Power Supply
• Energy Storage
• Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDBL0240N100

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :210

  • PD Max (W)

    :300

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :11

  • Ciss Typ (pF)

    :5835

  • Package Type

    :TO-LL 8L

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