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FDBL0260N100中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,200A,2.6mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDBL0260N100

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,200A,2.6mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FDBL0260N100规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 200A, 2.6mΩ

特性 Features

• 最大 RDS(on) = 2.6 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A)
• 最大 Qg(tot) = 116 nC(VGS = 10 V、ID = 80 A)
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDBL0260N100

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :200

  • PD Max (W)

    :250

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :11

  • Ciss Typ (pF)

    :6175

  • Package Type

    :TO-LL 8L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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