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FDBL0260N100中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,200A,2.6mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDBL0260N100规格书详情
描述 Description
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 200A, 2.6mΩ
特性 Features
• 最大 RDS(on) = 2.6 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A)
• 最大 Qg(tot) = 116 nC(VGS = 10 V、ID = 80 A)
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDBL0260N100
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:200
- PD Max (W)
:250
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:2.6
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:11
- Ciss Typ (pF)
:6175
- Package Type
:TO-LL 8L
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装,正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
MO-299A |
16316 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
8PowerSFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
MO-299A |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
POWER56 |
1200 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
MO-299A |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
MO-299A |
9203 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |