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FDBL86066-F085

N 沟道 PowerTrench® MOSFET,100 V,240 A,4.1 mΩ

FDBL86066-F085 • Typical RDS(on) = 3.3 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A\n• Typical Qg(tot) = 47 nC at VGS = 10V, ID = 80 A\n•UIS Capability\n•Qualified to AEC Q101\n•RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

FDBL86066-F085

丝印:FDBL86066;Package:H-PSOF8L;N?륝hannel POWERTRENCH MOSFET 100 V, 240 A, 4.1 m

文件:483.38 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDBL86066-F085AW

包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF

ONSEMI

安森美半导体

FDBL86361-F085

Onsemi安森美
HPSOF8L

Onsemi安森美

上传:深圳市中联芯电子有限公司

Onsemi安森美

FDC2212QDNTTQ1

Texas Instruments
WSON-12

Texas Instruments

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

Texas Instruments

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    100

  • VGS Max (V):

    ± 20

  • VGS(th) Max (V):

    2.9

  • ID Max (A):

    185

  • PD Max (W):

    300

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    4.1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    47

  • Ciss Typ (pF):

    3240

  • Package Type:

    TO-LL 8L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDBL86066-F085供应商 更新时间2025-10-13 14:02:00