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FDBL86561_F085中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,300A,1.1mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDBL86561_F085

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,300A,1.1mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FDBL86561_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 300A, 1.1mΩ

特性 Features

• 典型 RDS(on) = 0.85 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A)
• 典型 Qg(tot) = 170 nC(VGS = 10 V、ID = 80 A)
• UIS 能力
• 符合RoHS标准
• 符合 AEC Q101 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDBL86561_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :300

  • PD Max (W)

    :429

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :170

  • Ciss Typ (pF)

    :13650

  • Package Type

    :TO-LL 8L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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