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FDBL86561_F085

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,300A,1.1mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 300A, 1.1mΩ • 典型 RDS(on) = 0.85 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A)\n• 典型 Qg(tot) = 170 nC(VGS = 10 V、ID = 80 A)\n• UIS 能力\n• 符合RoHS标准\n• 符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDBL86561_F085

Automotive Engine Control

文件:405.25 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDC2212QDNTTQ1

Texas Instruments
WSON-12

Texas Instruments

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

Texas Instruments

FDC2512

ON/安森美
SOT-23-6

ON/安森美

FDC37C669-MS

SMSC
QFP100

SMSC

SMSC Corporation

上传:深圳市宏捷佳电子科技有限公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    300

  • PD Max (W):

    429

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    1.1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    170

  • Ciss Typ (pF):

    13650

  • Package Type:

    TO-LL 8L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDBL86561_F085供应商 更新时间2025-10-12 15:08:00