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FDBL86210_F085中文资料150 V、169 A、5 mΩ、TO-LLN 沟道 PowerTrench®数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDBL86210_F085

功能描述

150 V、169 A、5 mΩ、TO-LLN 沟道 PowerTrench®

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FDBL86210_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 150V, 169A, 6.3mΩ

特性 Features

•典型值 rDS(on)=5 mΩ,条件是 VGS=10 V、ID=80 A
•典型值 Qg(tot)=70 nC,条件是 VGS=10 V、ID=80 A
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDBL86210_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :169

  • PD Max (W)

    :500

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :6.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :70

  • Ciss Typ (pF)

    :5805

  • Package Type

    :TO-LL 8L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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