FDBL86363_F085中文资料80 V、240 A、2.0 mΩ、TO-LLN 沟道 PowerTrench®数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 240A, 2.0mΩ

特性 Features

• Typical RDS(on) = 1.5 mΩ at VGS = 10V, ID = 80 A
• Typical Qg(tot) = 130 nC at VGS = 10V, ID = 80 A
• UIS Capability
• Qualified to AEC Q101

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FDBL86363_F085属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDBL86363_F085晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。