FDBL9403_F085中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，240 A，0.9 mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40 V, 240 A, 0.9 mΩ

特性 Features

• 典型 RDS(on) = .65 mΩ（需 VGS = 10 V, ID = 80 A）
• 典型 Qg(tot) = 144°C（需 VGS = 10 V、ID = 80 A）
• UIS 能力
• 符合 RoHS 标准
• 符合 AEC Q101 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FDBL9403_F085属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的FDBL9403_F085晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。