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FDB8442_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、80 A、2.1 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® FDB8442_F085 典型 rDS(on) = 2.1 mΩ （VGS = 10 V、ID = 80 A）\n VGS = 2V时，典型Qg(10) = 181nC\n 低米勒电荷\n 低 Qrr体二极管\n UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）\n 符合 AEC Q101 标准\n 符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB8442	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
50
PD Max (W)：
60
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
11
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
11
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
37
Ciss Typ (pF)：
1970
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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