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FDB8453LZ

FAIRCHILD/仙童TO-263

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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FDB8445-F085

onsemi(安森美)D2PAK(TO-263)

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深圳市创新迹电子有限公司

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FDB8444MOS(场效应管)

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FDB8447L

FAIRCHILD/仙童TO263

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FDB8443

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FAIRCHILDTO263

25368

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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FDB8453LZ

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FAIRCHILD/仙童TO-263

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FSCTO-263

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深圳市华来深电子有限公司

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FDB8447L

FAIRCHITO263

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深圳市华来深电子有限公司

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FDB8444

FAIRCHITO-263

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深圳市拓亿芯电子有限公司

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FDB8443

FAIRCHILD/仙童TO-263

30000

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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FDB8441

FSCTO-263

39500

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进口原装现货 支持实单价优

贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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FDB8444-F085

ON/安森美TO263

10000

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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

深圳市科恒伟业电子有限公司

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FDB8441-F085

FAIRCHILDTO-263

9850

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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FDB8442

FSCTO-263(D2PAK)

36900

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市润联芯城科技有限公司

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FDB8447L

ONSEMI/安森美TO-263

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原装正品支持实单

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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FDB8442-F085

ON/安森美N/A

58400

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现货,原厂原装假一罚十!

深圳市盈慧通电子有限公司

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FDB8443

ONSEMI/安森美TO-263-2

360000

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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

深圳市宇创芯科技有限公司

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FDB8444

FAIRCHILD/仙童TO263

9600

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原装现货,优势供应,支持实单!

洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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FDB8447L

FCSTO-263D2-PAK

86720

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FDB8442价格：￥0.0000品牌：FAIRCHILD

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深圳市轩嘉盛电子有限公司FDB8445 TO-263 40 V 70 A

FDB8442 40V 80A N沟道 TO263 FAIRCHILD MOSFET

深圳市轩嘉盛电子有限公司FDB8442 40V 80A TO263

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FDB8441功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDB8441_F085功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDB8442功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDB8442_F085功能描述:MOSFET 40V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDB8443功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDB8443_F085功能描述:MOSFET 40V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDB8444功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDB8444_10制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 70A, 5.5m??

FDB8444_F085功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

FDB8444TS功能描述:MOSFET 40V N-Channel w/Temp Sensor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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