丝印：FDB0690N1507L；Package：D2-PAK-7L；N-Channel PowerTrench® MOSFET

Features „ Max rDS(on) = 6.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 17 A „ Fast Switching Speed „ Low Gate Charge „ High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on) „ High Power and Current Handling Capability „ RoHS Compliant General Description This N-Channel MOSFET is produced using ON

文件：388.96 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，115A，6.9mΩ

此 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低工业应用的导通阻抗并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。 • 最大 rDS(on) = 6.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 17 A）\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n• 高性能沟槽技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n• 符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

TO-263

FAIRCHILD/仙童

上传：深圳市吉铭电子科技有限公司

TO263

FAIRCHILD

仙童半导体

上传：深圳市旺财半导体有限公司

PSOF-8L

ON

上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司