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FDB0690N1507L	文件：388.96 Kbytes Page：6 Pages	丝印：FDB0690N1507L；Package：D2-PAK-7L；N-Channel PowerTrench® MOSFET Features MaxrDS(on)=6.9mΩatVGS=10V,ID=17A FastSwitchingSpeed LowGateCharge HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLow RDS(on) HighPowerandCurrentHandlingCapability RoHSCompliant GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingON	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDB0690N1507L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，115A，6.9mΩ; • 最大 rDS(on) = 6.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 17 A）\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n• 高性能沟槽技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n• 符合 RoHS 标准\n; 此 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低工业应用的导通阻抗并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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文件：388.96 Kbytes

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丝印：FDB0690N1507L；Package：D2-PAK-7L；N-Channel PowerTrench® MOSFET

Features MaxrDS(on)=6.9mΩatVGS=10V,ID=17A FastSwitchingSpeed LowGateCharge HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLow RDS(on) HighPowerandCurrentHandlingCapability RoHSCompliant GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingON

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

FDB0690N1507L

文件：300 bytes

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，115A，6.9mΩ; • 最大 rDS(on) = 6.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 17 A）\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n• 高性能沟槽技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n• 符合 RoHS 标准\n;

此 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低工业应用的导通阻抗并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
150
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
115
PD Max (W)：
250
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
6.9
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
82
Ciss Typ (pF)：
6265
Package Type：
D2PAK-7/TO-263-7

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深圳市博中泰实业有限公司	FDB0690N1507L	ONSEMI/安森美	24+	TO-263-7	60000		询价

更多FDB0690N1507L供应商更新时间2025-7-29 16:12:00

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