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FDB024N06	文件：619.67 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 265A, 2.4m廓 GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=1.8mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=75A •F	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
024N06N	文件：483.71 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS??Power-TransistorFeaturesIdealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •Qualifiedaccordin	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
KU024N06P	文件：1.05997 Mbytes Page：7 Pages	N-chTrenchMOSFET GeneralDescription ThisTrenchMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConverter,SynchronousRectificationandaloadswitchinbatterypoweredapplications FEATU	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
NVMFD024N06C	文件：255.85 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,DualN-Channel,SO-8FL60V,22.6m,24A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWD024N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,Hal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVMFS024N06C	文件：143.63 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,SO-8FL60V,22m,25A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVTFS024N06C	文件：283.2 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,22.6m,24A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS024N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fre	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVTFS024N06CTAG	文件：283.2 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,22.6m,24A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS024N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fre	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVTFWS024N06CTAG	文件：283.2 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,22.6m,24A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS024N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fre	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

型号：
FDB024N06
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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