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KU024N06P中文资料开益禧数据手册PDF规格书

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厂商型号

KU024N06P

功能描述

N-ch Trench MOS FET

文件大小

1.05997 Mbytes

页面数量

7

生产厂商

KEC KEC(Korea Electronics)

中文名称

开益禧 无锡开益禧半导体有限公司

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数据手册

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更新时间

2026-1-30 19:24:00

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KU024N06P规格书详情

General Description

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for DC/DC Converter, Synchronous Rectification and a load switch in battery powered applications

FEATURES

• VDSS= 60V, ID= 200A

• Drain-Source ON Resistance :

RDS(ON)=2.4mΩ (Max.) @VGS = 10V

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