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FCPF11N60T中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET®, Easy Drive,600 V,11 A,380 mΩ,TO-220F数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FCPF11N60T

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET®, Easy Drive,600 V,11 A,380 mΩ,TO-220F

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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FCPF11N60T规格书详情

描述 Description

SuperFET® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

特性 Features

•650V @Tj = 150°C
•典型值 Rds(on) = 0.32 Ω
•超低栅极电荷(典型值 Qg=40nC)
•低有效输出电容(典型值 Coss.eff=95pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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