首页>FCP400N80Z>规格书详情
FCP400N80Z数据手册ONSEMI中文资料规格书
FCP400N80Z规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 此外，内部的栅源极 ESD 二极管使产品可承受超过 2 kV 的 HBM 冲击应力。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如音频、笔记本电源适配器、照明、ATX 电源及工业电源应用。
特性 Features
•典型值 RDS(on) = 340 mΩ
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 43 nC）
•低 Eoss（典型值 4.1 μJ @ 400V)
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 138 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•改进了 ESD 防护能力
应用 Application
• AC-DC Power Supplies
• LED Lighting
技术参数
- 制造商编号
：FCP400N80Z
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：4.5
- ID Max (A)
：14
- PD Max (W)
：195
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：400
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：43
- Ciss Typ (pF)
：1770
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
6545 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
23+ |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | |||
ON |
23+ |
2400 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | |||
ON |
24+ |
TO-220-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2324+ |
NA |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
