FCP290N80中文资料功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，800 V，17 A，290 mΩ，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FCP290N80规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。
特性 Features
•典型值 RDS(on) = 0.245 Ω
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 58 nC）
•低 Eoss（典型值 5.6 uJ @ 400 V）
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 240 pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC Power Supplies
• LED Lighting
技术参数
- 制造商编号
：FCP290N80
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：4.5
- ID Max (A)
：17
- PD Max (W)
：212
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：0.29
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：0.29
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：58
- Ciss Typ (pF)
：2410
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO220 |
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TO220 |
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ON(安森美) |
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T0220 |
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