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FCPF11N60NT中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®,FAST,600 V,10.8 A,299 mΩ,TO-220F数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FCPF11N60NT

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®,FAST,600 V,10.8 A,299 mΩ,TO-220F

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:30:00

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FCPF11N60NT规格书详情

描述 Description

SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

特性 Features

•RDS(on) = 255mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 5.4A
•超低栅极电荷(典型值Qg = 27.4nC )
•低有效输出电容(典型值Coss.eff = 130pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FCPF11N60NT

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :10.8

  • PD Max (W)

    :94

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :299

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :27.4

  • Ciss Typ (pF)

    :1130

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
10+
TO-220F
82
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FAIRCHILD/仙童
2450+
TO-220F
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
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880000
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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