FCPF11N60数据手册ONSEMI中文资料规格书
FCPF11N60规格书详情
描述 Description
SuperFET® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
特性 Features
•650V @Tj = 150°C
•典型值 Rds(on) = 0.32 Ω
•超低栅极电荷（典型值 Qg=40nC)
•低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 95 pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
技术参数
- 型号：
FCPF11N60
- 功能描述：
MOSFET 600V 11A N-CH
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-220F |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220F |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
SOT-5664&NBS |
4200 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220F |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
2020+ |
TO-220F |
9800 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
18+ |
TO-220F |
85600 |
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询价 | ||
ON |
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TO-220 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
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FAIRCHILD |
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TO-220F |
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询价 |
