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FCB36N60N中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®, FAST,600V,25A,125mΩ,D2PAK数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FCB36N60N

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®, FAST,600V,25A,125mΩ,D2PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-2 8:31:00

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FCB36N60N规格书详情

描述 Description

SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

特性 Features

•RDS(on) = 81mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 18A
•超低栅极电荷(典型值Qg = 86nC )
•低有效输出电容(典型值Coss.eff = 361pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FCB36N60N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :36

  • PD Max (W)

    :312

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :125

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :86

  • Ciss Typ (pF)

    :3595

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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