FCB36N60N数据手册ONSEMI中文资料规格书
FCB36N60N规格书详情
描述 Description
SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）技术，该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance（导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。
特性 Features
•RDS(on) = 81mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 18A
•超低栅极电荷（典型值Qg = 86nC )
•低有效输出电容（典型值Coss.eff = 361pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FCB36N60N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：36
- PD Max (W)
：312
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：125
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：86
- Ciss Typ (pF)
：3595
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
TO-263 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
32000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | |||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
TO-2633L(D2PAK) |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-263 |
30000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
NA |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
一级代理 |
23+ |
N/A |
7000 |
询价 | |||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
3200 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 |
