FCB36N60N中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®, FAST,600V,25A,125mΩ,D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FCB36N60N规格书详情
描述 Description
SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET 技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。
特性 Features
•RDS(on) = 81mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 18A
•超低栅极电荷(典型值Qg = 86nC )
•低有效输出电容(典型值Coss.eff = 361pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FCB36N60N
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:600
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:36
- PD Max (W)
:312
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:125
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:86
- Ciss Typ (pF)
:3595
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
3200 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-263 |
1223 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
询价 | ||
ON |
2022+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
15 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-263 |
133 |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
NA |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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ONSEMI |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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FAI |
25+23+ |
TO263 |
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绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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ON(安森美) |
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32000 |
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