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FCB20N60F_F085中文资料N 沟道 MOSFET 600V,20A,190mΩ,数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FCB20N60F_F085

功能描述

N 沟道 MOSFET 600V,20A,190mΩ,

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-2 9:48:00

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FCB20N60F_F085规格书详情

描述 Description

SuperFETTM作为 Fairchild 高压 MOSFET 系列的新一代专利产品,采用先进的电荷平衡机制,能够显著降低导通电阻并实现更低的栅极电荷性能。这项先进的技术专用于最大限度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能,以及承受极端高的 dv/dt 电压变化率和更高的雪崩能量值。因此,SuperFET 非常适用于开关模式运行下的各种 AC/DC功率转换,从而实现系统的微型化以及更高的效率

特性 Features

•典型值 rDS(on) = 171 mΩ(VGS= 10 V、ID = 20 A)
•典型Qg(tot)=78nC(VGS=10V、ID=20A)
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101 标准

应用 Application

• Automotive On Board Charger
• Automotive DC/DC converter for HEV

技术参数

  • 制造商编号

    :FCB20N60F_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel MOSFET 600V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :20

  • PD Max (W)

    :405

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :190

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :78

  • Ciss Typ (pF)

    :2305

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-2632L(D2PAK)
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-2632L(D2PAK)
28523
原装正品,假一罚十!
询价
Fairchild/ON
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
询价
ONSEMI/安森美
22+
TO-263
25800
原装正品支持实单
询价
ON/安森美
23+
TO-263-3
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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FAIRCHILD
原装
12743
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
ON/安森美
23+
TO-263-3
8000
原装正品实单必成
询价
ON/安森美
22+
TO-263-3
18000
原装正品
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
FAIRCHILD/仙童
2022+
TO-263
30000
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十
询价