首页>FCB20N60F_F085>规格书详情

FCB20N60F_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FCB20N60F_F085

功能描述

N 沟道 MOSFET 600V,20A,190mΩ,

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-17 9:11:00

人工找货

FCB20N60F_F085价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FCB20N60F_F085规格书详情

描述 Description

SuperFETTM作为 Fairchild 高压 MOSFET 系列的新一代专利产品,采用先进的电荷平衡机制,能够显著降低导通电阻并实现更低的栅极电荷性能。这项先进的技术专用于最大限度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能,以及承受极端高的 dv/dt 电压变化率和更高的雪崩能量值。因此,SuperFET 非常适用于开关模式运行下的各种 AC/DC功率转换,从而实现系统的微型化以及更高的效率

特性 Features

•典型值 rDS(on) = 171 mΩ(VGS= 10 V、ID = 20 A)
•典型Qg(tot)=78nC(VGS=10V、ID=20A)
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101 标准

应用 Application

• Automotive On Board Charger
• Automotive DC/DC converter for HEV

技术参数

  • 制造商编号

    :FCB20N60F_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel MOSFET 600V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :20

  • PD Max (W)

    :405

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :190

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :78

  • Ciss Typ (pF)

    :2305

  • Package Type

    :D2PAK-3 / TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
2022+
TO-263
30000
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十
询价
ONN
2405+
原厂封装
8000
只做原装优势现货库存 渠道可追溯
询价
ON/安森美
2223+
TO-263-3
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
询价
Fairchild Semiconductor
2022+
原厂原包装
6800
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
ON Semiconductor
21+
TO-263AB
1000
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!!
询价
onsemi
两年内
NA
800
实单价格可谈
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
31773
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-2632L(D2PAK)
28523
原装正品,假一罚十!
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON/安森美
23+
TO-263-3
8000
原装正品实单必成
询价