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FCB20N60F中文资料功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET®,FRFET®,600 V,20 A,190 mΩ,D2PAK数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FCB20N60F

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET®,FRFET®,600 V,20 A,190 mΩ,D2PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-2 9:48:00

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FCB20N60F规格书详情

描述 Description

SuperFET®MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结(SJ)MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此,SuperFET MOSFET产品非常适合开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。SuperFET FRFET®MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。

特性 Features

•650V @TJ = 150°C
•典型值RDS(on) = 150mΩ
•超低栅极电荷(典型值Qg = 75nC )
•低有效输出电容(典型值Coss.eff = 165pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FCB20N60F

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :20

  • PD Max (W)

    :208

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :190

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :75

  • Ciss Typ (pF)

    :2370

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-2632L(D2PAK)
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
Fairchild(飞兆/仙童)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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FAIRCHILD/仙童
25+
TO-263
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原装正品,假一罚十!
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22+
TO-263
25800
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35960
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23+
TO-263-3
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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ON/安森美
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TO-263-3
18000
原装正品
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三年内
1983
只做原装正品
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