FCB20N60数据手册ONSEMI中文资料规格书
FCB20N60规格书详情
描述 Description
SuperFET®MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结（SJ）MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。
特性 Features
•650V @TJ = 150°C
•典型值RDS(on) = 150mΩ
•超低栅极电荷（典型值Qg = 75nC )
•低有效输出电容（典型值Coss.eff = 165pF )
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FCB20N60
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：-
- VGS(th) Max (V)
：-
- ID Max (A)
：20
- PD Max (W)
：208
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：190
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：75
- Ciss Typ (pF)
：-
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAI |
25+23+ |
TO263 |
28240 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
D2PAK |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
D2PAK |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
D2PAK |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-263(D2PAK) |
8866 |
询价 | |||
ON / FAIRCHILD |
23+ |
TO-263 |
1089 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHI |
25+ |
TO-263 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-263-3 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
