N 沟道 MOSFET 600V，20A，190mΩ，

SuperFETTM作为 Fairchild 高压 MOSFET 系列的新一代专利产品，采用先进的电荷平衡机制，能够显著降低导通电阻并实现更低的栅极电荷性能。这项先进的技术专用于最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，以及承受极端高的 dv/dt 电压变化率和更高的雪崩能量值。因此，SuperFET 非常适用于开关模式运行下的各种 AC/DC功率转换，从而实现系统的微型化以及更高的效率 •典型值 rDS(on) = 171 mΩ（VGS= 10 V、ID = 20 A）\n•典型Qg(tot)=78nC（VGS=10V、ID=20A）\n•UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

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SOT252

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TO-252AA

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NIEC
TO-220F

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上传：深圳市华康联电子科技有限公司（销售一部）

NIEC
TO-220F

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