FCB290N80中文资料N 沟道 SuperFET® II MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FCB290N80规格书详情
描述 Description
SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。
特性 Features
•RDS(on) = 0.259 Ω（典型值）
•超低栅极电荷（典型值 Qg = 58 nC)
•低 Eoss（典型值 5.4 uJ @ 400V)
•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 240 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC Power Supply
• LED Lighting
• Flat Panel Display TV
• ATX
技术参数
- 制造商编号
：FCB290N80
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：4.5
- ID Max (A)
：17
- PD Max (W)
：212
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：0.29
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：0.29
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：58
- Ciss Typ (pF)
：2410
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild/ON |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
onsemi(安森美) |
24+ |
D2PAK |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
ONSemi |
24+ |
TO263 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
24+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO263 |
20010 |
原装现货 |
询价 |
