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F10	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：5-DIP 模块；包装：管件类别：电源 - 板安装直流转换器描述：DC DC CONVERTER 1000V 10W	XPP XP Power	XPP
F1002	文件：37.46 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
F1006	文件：37.65 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications. SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI, LaserDriverandothers.PolyfetTMprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextended	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
F1008	文件：38.32 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlife	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
F101002-ND	文件：660.66 Kbytes Page：4 Pages	Fuse Blocks and Clips - For 3AG Fuses FuseBlocksandClips-For3AGFuses 3AGScrewTerminalLaminatedBaseType	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
F1010E	文件：195.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A? •AdvancedProcessTechnology •UltraLowOn-Resistance •Dynamicdv/dtRating •175°COperatingTemperature •FastSwitching •FullyAvalancheRated Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveex	IRF International Rectifier	IRF
F1010N	文件：211.92 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85A?? VDSS=55V RDS(on)=11mΩ ID=85A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
F1010NS	文件：146.82 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
F1015	文件：38.06 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR 100WattsGemini PackageStyleAH GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers.	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
F1016	文件：191.66 Kbytes Page：1 Pages	Compact I/O station for DeviceNet test us-english ■Removable5-pinscrew-clampterminal block,forDeviceNetfieldbusconnection ■RotarycodingswitchforsettingtheDeviceNet™address ■16KanäleDI ■16konfigurierbareKanäle,DIoderDO ■24VDC ■minusschaltend ■Ausgangsstrom:0.5A ■ProtectionclassIP20	TURCKTurck Inc. 图尔克德国图尔克集团公司	TURCK

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产品属性

产品编号：
F10
制造商：
XP Power
类别：
电源 - 板安装 > 直流转换器
系列：
XP EMCO - F (10W)
包装：
管件
类型：
高电压 - 隔离模块
电压 - 输入（最小值）：
0.7V
电压 - 输入（最大值）：
12V
电压 - 输出 1：
1000V
电流 - 输出（最大值）：
10mA
应用：
ITE（商业）
特性：
比例输出
工作温度：
-10°C ~ 70°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
5-DIP 模块
大小 / 尺寸：
2.80" 长 x 1.70" 宽 x 0.85" 高（71.1mm x 43.2mm x
描述：
DC DC CONVERTER 1000V 10W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	F10	NS	24+	5.2mm14	73	全新现货	询价
深圳市福田区亿兴成电子商行	F10		16+	QFP	1588	全新、原装	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	F10	XP Power	24+	N/A	12000	一级代理保证进口原装正品假一罚十价格合理	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	F10	BOHCHIP	23+	TQFP	10500	全新原装现货,假一赔十	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	F10	MIC	23+	SOT23-5	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	F10	BOHCHIP	24+	NA/	3287	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	F10	全志	23+	BGA	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价

更多F10供应商更新时间2025-5-22 10:20:00

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