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F10	文件：197.76 Kbytes Page：1 Pages	Electromagnetic shaker system Keyfeatures TheF10vibrationgeneratorisareaction-typeshakergeneratingverylargedynamicforcesforstructuralexcitationinvibrationresearchandtesting.Thereactionprincipleofoperationandcompactconfigurationallowthisgeneratortobestudmountedinanyposition,directlytos	WILCOXON Amphenol Wilcoxon Sensing Technologies.	WILCOXON
F10	文件：493.48 Kbytes Page：2 Pages	10 WATTS SINGLE & DUAL OUTPUT DC/DC INDUSTRIAL	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
F10	文件：91.7 Kbytes Page：1 Pages	LEADED (THRU-HOLE): High Voltage Fast Recovery & Short Protection Rectifiers	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
F10	文件：27.54 Kbytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT MONOLITHIC CRYSTAL FILTER	RALTRONRaltron Electronics Corporation 拉隆	RALTRON
F10	文件：622.9 Kbytes Page：6 Pages	ISOLATED, PROPORTIONAL DC TO HV DC CONVERTERS	XPPOWER XP Power Limited	XPPOWER
F10	文件：360.47 Kbytes Page：3 Pages	Stackable	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
F10	文件：1.00587 Mbytes Page：10 Pages	1.9mm Round Subminiature Lead LEDs	TO-GRACEHK TO-GRACE TECHNOLOGY CO.,LTD. 至恩科技香港至恩科技有限公司	TO-GRACE
F10	文件：741.37 Kbytes Page：11 Pages	1.9mm Round Subminiature Lead LED	TO-GRACEHK TO-GRACE TECHNOLOGY CO.,LTD. 至恩科技香港至恩科技有限公司	TO-GRACE
F10	文件：1.04674 Mbytes Page：11 Pages	1.9mm Round Subminiature Lead LEDs	TO-GRACEHK TO-GRACE TECHNOLOGY CO.,LTD. 至恩科技香港至恩科技有限公司	TO-GRACE
F10	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：5-DIP 模块类别：电源 - 板安装直流转换器描述：DC DC CONVERTER 1000V 10W	XPPXPPower XP Power	XPP
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F1002	文件：37.46 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet POLYFET	Polyfet
F1006	文件：37.65 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications. SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI, LaserDriverandothers.PolyfetTMprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextended	Polyfet POLYFET	Polyfet
F1008	文件：38.32 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlife	Polyfet POLYFET	Polyfet
F101002-ND	文件：660.66 Kbytes Page：4 Pages	Fuse Blocks and Clips - For 3AG Fuses FuseBlocksandClips-For3AGFuses 3AGScrewTerminalLaminatedBaseType	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
F1010E	文件：195.51 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=12mohm,Id=84A? •AdvancedProcessTechnology •UltraLowOn-Resistance •Dynamicdv/dtRating •175°COperatingTemperature •FastSwitching •FullyAvalancheRated Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveex	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
F1010N	文件：211.92 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85A?? VDSS=55V RDS(on)=11mΩ ID=85A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
F1010NS	文件：146.82 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
F1015	文件：38.06 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR 100WattsGemini PackageStyleAH GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers.	Polyfet POLYFET	Polyfet
F1018	文件：38.57 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers.	Polyfet POLYFET	Polyfet

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产品属性

产品编号：
F10
制造商：
XP Power
类别：
电源 - 板安装 > 直流转换器
系列：
XP EMCO - F (10W)
包装：
管件
类型：
高电压 - 隔离模块
电压 - 输入（最小值）：
0.7V
电压 - 输入（最大值）：
12V
电压 - 输出 1：
1000V
电流 - 输出（最大值）：
10mA
应用：
ITE（商业）
特性：
比例输出
工作温度：
-10°C ~ 70°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
5-DIP 模块
大小 / 尺寸：
2.80" 长 x 1.70" 宽 x 0.85" 高（71.1mm x 43.2mm x
描述：
DC DC CONVERTER 1000V 10W

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