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厂商型号

F1002

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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37.46 Kbytes

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2

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POLYFET

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2026-1-22 22:50:00

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F1002规格书详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

40Watts Single Ended

Package Style AA

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NS
23+
NA
6500
全新原装假一赔十
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HR
2026+
CONN
200
原装正品,假一罚十!
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专做原装正品,假一罚百!
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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25+
750
750
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25+
QFP
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
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