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F1002中文资料POLYFET数据手册PDF规格书

F1002
厂商型号

F1002

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件大小

37.46 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Polyfet RF Devices
企业简称

POLYFET

中文名称

Polyfet RF Devices官网

原厂标识
POLYFET
数据手册

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更新时间

2025-8-4 22:50:00

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F1002规格书详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

40Watts Single Ended

Package Style AA

HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE

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