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EMH2314	文件：769.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=28mΩ(typ.) • Halogen free compliance • 1.8V drive • Protection Diode in 文件：769.59 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2314	文件：518.73 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=28mΩ(typ.) • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection Diode in 文件：518.73 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EMH2314-TL-H	文件：769.59 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=28mΩ(typ.) • Halogen free compliance • 1.8V drive • Protection Diode in 文件：769.59 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2401	文件：38.51 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • The EMH2401 incorporates an N-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. • 1.8V drive. 文件：38.51 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EMH2402	文件：43.88 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • The EMH2402 incorporates an N-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. • 4V drive. 文件：43.88 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EMH2407	文件：99.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • 2.5V drive • Protection diode in 文件：99.43 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EMH2407	文件：556.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • Low ON-resistance • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • 2.5V drive • Protection diode in 文件：556.31 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2407R	文件：321.23 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1 : 16mΩ(typ.) • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • 2.5V drive • Halogen free compliance 文件：321.23 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EMH2407-TL-H	文件：556.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • Low ON-resistance • Best suited for LiB charging and discharging switch • Common-drain type • 2.5V drive • Protection diode in 文件：556.31 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMH2408	文件：554.32 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • The EMH2408 incorporates a N-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting • 1.8V drive • Halogen free compliance 文件：554.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
EMH
制造商：
Switchcraft Inc.
类别：
连接器，互连器件 > 圆形连接器外壳
系列：
EH
包装：
散装
连接器类型：
插件壳
外壳尺寸 - 插件：
XLR
安装类型：
面板安装
安装特性：
法兰
紧固类型：
锁存器支座
外壳材料：
铸件
外壳表面处理：
镍
外壳颜色：
银
屏蔽：
无屏蔽
描述：
CONN INSERT SHELL PANEL MNT

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