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EMB9930G	文件：217.8 Kbytes Page：8 Pages	2N & 2P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 3 0V ‐30V RDSON (MAX.) 40mΩ 45mΩ ID 5.5A ‐4.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：217.8 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB99A0G	文件：217.12 Kbytes Page：8 Pages	2N & 2P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 100V ‐100V RDSON (MAX.) 250mΩ 300mΩ ID 2.2A ‐1.7A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：217.12 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB9T2R	文件：51.28 Kbytes Page：2 Pages	General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. 文件：51.28 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB90A08G	文件：195.13 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：195.13 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB90P06CS	文件：196.79 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：196.79 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB90N08A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB90N08G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB90N08V	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS

技术参数

Channel：
Dual N
BVDSS(V)：
80
VGS(±V)：
20
ID(A)：
4.5
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
85
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
110
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
12
CissTyp.(pF)：
620

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	EMB9	ROHM/罗姆	25+	SOT563	32360	ROHM/罗姆全新特价EMB9即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多EMB9供应商更新时间2025-10-5 14:14:00

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