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EMB9930G

2N & 2P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 3 0V ‐30V RDSON (MAX.) 40mΩ 45mΩ ID 5.5A ‐4.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:217.8 Kbytes 页数:8 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB9930G

Power MOSFETs-Complementary

Excelliance MOS

杰力科技

FM9930

High-performance secondary synchronous rectification driver chip

文件:427.4 Kbytes 页数:6 Pages

FUMAN

富满微

GAPM9930

Mini size of Discrete semiconductor elements

文件:468.13 Kbytes 页数:10 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

GSS9930

N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:399.64 Kbytes 页数:7 Pages

GTM

勤益投资控股

技术参数

  • Channel:

    Complementary-2N

  • BVDSS(V):

    30

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    5.5

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    40

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    62

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    7.1

  • CissTyp.(pF):

    323

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更多EMB9930G供应商 更新时间2025-10-9 14:14:00