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EMB90N08A	文件：231.38 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 80V RDSON (MAX.) 85mΩ ID 10A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：231.38 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB90N08A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB90N08G	文件：183.83 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 80V RDSON (MAX.) 85mΩ ID 5A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：183.83 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB90N08V	文件：196.53 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 80V RDSON (MAX.) 85mΩ ID 5.2A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：196.53 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
FQA90N08	文件：675.09 Kbytes Page：8 Pages	80V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：675.09 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
80
VGS(±V)：
20
ID(A)：
10
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
85
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
110
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
12
CissTyp.(pF)：
620

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	EMB90N08A	EMC/杰力	25+	TO-252	20300	EMC/杰力原装特价EMB90N08A即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	EMB90N08A	EMC	23+	TO-252	65400		询价
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深圳市金芯世纪电子有限公司	EMB90N08A	EMC	22+	TO-252	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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更多EMB90N08A供应商更新时间2025-10-9 18:51:00

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