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NTD20P06L	文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET??0V,??5.5A,SingleP?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD20P06LG	文件：985.58 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NTDV20P06L	文件：156.59 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET??0V,??5.5A,SingleP?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTDV20P06L	文件：298.27 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-15.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=150mΩ(Max)@VGS=-5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SK20P06	文件：1.07798 Mbytes Page：6 Pages	MOSFETMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
T20P06L	文件：990.05 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
T20P06LG	文件：990.01 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TS20P06G	文件：244.97 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

技术参数

Channel：
Single P
BVDSS(V)：
-60
VGS(±V)：
20
ID(A)：
-40
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
15
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
22
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
111
CissTyp.(pF)：
6478

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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