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ECH8651R	文件：57.74 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications 文件：57.74 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8651R	文件：113.76 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：113.76 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8651R	文件：310.75 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：310.75 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8651R_12	文件：113.76 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：113.76 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8651R-TL-H	文件：310.75 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：310.75 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8651R	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8651R-R-TL-H	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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ECH8651R-R-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8651R-R-TL-HX	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：INTEGRATED CIRCUIT	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
ECH8651
功能描述：
MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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